Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

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HomeProdottiAccessori industriali SdramuleSpecificazioni di Modulu di Memoria DDR3 UDIMM

Specificazioni di Modulu di Memoria DDR3 UDIMM

Pagate Tipo:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. Ordine:
1 Piece/Pieces
Trasportu:
Ocean,Air,Express,Land
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  • Descrizzione
Overview
Attributi di u Produttu

Nimu di mudelluNSO4GU3AB

Abilità di Pruvisione & Informazioni Ul...

TrasportuOcean,Air,Express,Land

Pagate TipoL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Imballaggio è Consegna
Unità di vendita:
Piece/Pieces

4GB 1600mhz 240-pin DDR3 UDIMM


Storia di Revisione

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Urdinà a tavola d'infurmazioni

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Descrizzione
Hengstar Ddrr3 DDRCED DDRGED DDRram DWRAMERA DROMU DUTTLO DATA DRAM DRAM DRAM DRAM DRAM DRAM DRAM DRAM DRAM IN-LEGU POWER SENU POWER, OPERAZIONE DI MEMORNI DI OPERAZIONE HOME NS04GU3AB hè un 512 m x 64-bit DDR3-1600 CL11 1.5v SDRAM Ufficiu Dimm Unbuffed Dimm, basatu nantu à i sedici 256 milioni di fbga. U SPD hè programatu à JEDEC Landence Landence DDR3-1600 Timing di 11-11-11 à 1,5v. Ogni 240-pins usa i dita di cuntattu d'oru. U DRDRAMU SDRAMP hè destinatu à aduprà cum'è a memoria principale quandu installata in i sistemi cum'è PC è di e stazioni di travagliu.


Caratteristiche
Fornimentu power: VDD = 1.5V (1,425V à 1,575V)
Ddq = 1.5v (1,425V à 1,575V)
800mhz fck per 1600mb / sec / pin
 4 Bank internu indipendente
Itu di casa di e case .Programble: 11 09, 9, 8, 7, 6
Pruvinazione additiva additiva: 0, cl - 2, o cl - 1 clock
-bit pre-pretic
▪ Durata: 8 (Interleave senza alcuna limite, sequenziale cù l'indirizzu di partenza "000"), 4 cù TCCD = 4 Chì ùn permette micca leghje senza sanemulità o di a maglia]
I-direzzione di differenziali di sferenti
 Calibrazione (auto); Calibrazione interna di a Calibrazione di ZQ (RZQ: 240 Ohm ± 1%)
Terminazione di a morte cù PIN ODT
I periodu di rinfresghju in ifresh 7,8us à menu di a Tcase 85 ° C, 3,9A à 85 ° C <Tcase <95 ° C
RESET DI RINDICO
Verificazione di dati di dati di dati Eutputable
-per topologia
pcb: altezza 1.18 "(30mm)
 Sò cumplessu è halogen-free


Paràmetri di timing chjave

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Tavulinu d'indirizzu

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Pin descrizioni

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Note : A tavola di descrizzione PIN quì sottu hè una lista completa di tutti i pinsani pussibuli per tutti i moduli DDR3. Tutti i pins elencati micca supportatu nantu à questu modulu. Vede l'assignazioni PIN per l'infurmazioni specifiche per stu modulu.


Diagramma Funziunale

4GB, u modulu 512MX64 (2rank di x8)

1


2


Nota:
1. U ballò zq nantu à ogni cumpunente DDR3 hè cunnessu à un 240ω esternu ± 1% resistore chì hè attaccatu à terra. Hè adupratu per a calibrazione di a Terminazione di a Terminazione di u Componente è u Driver di Output.



Dimensioni di modulu


Vista frontale

3

Vista frontale

4

NOTI:
1.ALI Dimensioni sò in millimetri (inch); Max / min o tipicu (tippu) induve nota.
2.toleranza nantu à tutte e dimensioni ± 0,15 mm, salvu micca specificatu altrimenti.
3. U diagrama dimensionale hè solu per riferimentu.

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